技術(shù)文章
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樣品幾何尺寸、物質(zhì)組分、熱分布不均等等的影響導致的一些結(jié)果誤差,是否讓您在測量薄膜的熱分析參數(shù)時頭疼不已?在此林賽斯的薄膜綜合物性分析儀(TFA)給您提供了的解決方案。導熱系數(shù)、電阻率、電導率、塞貝克效應,薄膜的霍爾效應等一次測得,不受其他因素影響,結(jié)果可靠。TFA采用芯片設(shè)計,樣品與傳感器緊密接觸,構(gòu)成一個縮小的熱帶法導熱測試模型;還可配置鎖相放大器等控制設(shè)備,以使用3ω方法,對樣品的in-plane和Cross-plane導熱進行測量。同時TFA可以測量不同材質(zhì)的樣品,金...
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塞貝克系數(shù)測定儀可用于測量某些材料的塞貝克系數(shù)(熱電系數(shù));塞貝克系數(shù)測定儀是根據(jù)地質(zhì)、礦業(yè)、物探、半導體科研院所的需求而設(shè)計的新型自動化數(shù)字化熱電系數(shù)測量儀,用于測量具有類似半導體特性的各種礦物,如黃鐵礦等及一般半導體材料的熱電系數(shù)。在某些礦物和半導體材料的研究中測取熱電系數(shù)具有重要的用途和意義。塞貝克系數(shù)測定儀適合于礦業(yè)、地質(zhì)、物探、半導體等有關(guān)科研院所和高等學校使用。適合于測量直徑在0.1~1.0mm之間的微小晶體的熱電系數(shù)和導型。塞貝克系數(shù)測定儀主要由以下幾部分構(gòu)成:...
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Nearlypure-aluminasamplesproducedbyuniaxialpressingwereflashsinteredunderelectricalfieldsrangingfrom500V/cmto1500V/cminexperimentsatconstantheatingrate.Sinteringtemperaturesig-nificantlydecreasedwiththeappliedE-fieldevendownto≈900?Cat1500V/...
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Strontiumaluminateceramics,includingSr3Al2O6,SrAl2O4andSr4Al14O25,synthesizedbyglycine–nitratecombustionandsinteredat1773Kinair,werecharacterizedbythermalanalysis,dilatometryandelectricalmeasurementsincontrolledatmospheres.Allstudiedstronti...
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未來熱膨脹測量技術(shù)的趨勢—高精度和高分辨率。L75激光熱膨脹儀的*性體現(xiàn)在精度是傳統(tǒng)頂桿熱膨脹儀的33倍。測量原理是麥克爾遜(Michelson)干涉計,因而消除了系統(tǒng)誤差,保護的測量技術(shù)可以研究的高科技超低膨脹材料(ULE),Linseis成功地將的技術(shù)應用于此系列熱膨脹儀和優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),使之易用性和傳統(tǒng)的熱膨脹儀一樣。熱膨脹儀在一定的溫度程序、負載力接近于零的情況下,測量樣品的尺寸變化隨溫度或時間的函數(shù)關(guān)系??蓽y量固體、熔融金屬、粉末、涂料等各類樣品,廣泛應用于無機陶瓷、...
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